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吴小姐 
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详情（英文版）:
HAT2173HSilicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
Features•
High speed switching• Capable of 8 V gate drive• Low drive current• High density mounting• Low on-resistanceRDS(on) = 12 mΩ typ. (at VGS = 10 V)
详情（中文版）:
HAT2173H硅N沟道功率MOS场效应管
功率开关
特征·
高速切换具有8V栅极驱动的能力·低驱动电流·高密度安装·低导通电阻RDS(ON)=12米Ω 再来。(按V数计算)一般事务=10 V)
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